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40G 高速铟镓砷（InGaAs）光电探测器
40G 高速铟镓砷（InGaAs）光电探测器

40G 高速铟镓砷（InGaAs）光电探测器

HSPD4040 型高速探测器模块适用于数字与模拟两种应用场景，模块内置一款铟镓砷 PIN 光电二极管（InGaAs PIN Photodiode），其响应波长范围为 1250-1650nm，并配备必要的匹配电子元件。

HSPD4040 模块的最大带宽可达 40GHz，工作电压为 +5V，兼容标准单模 9/125μm 光纤输入，射频输出端口采用 2.92mm 连接器，阻抗匹配为 50 欧姆。该模块采用密封外壳设计，重量不足 20 克，且符合《关于限制在电子电气设备中使用某些有害成分的指令》2.0 版（ROHS 2.0）标准。

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  • 产品详细信息

40G 高速铟镓砷（InGaAs）光电探测器


产品特点

  • 带宽范围宽
  • 集成偏置器（Bias-T）
  • 直流耦合（DC Coupled）
  • 密封外壳设计，配备 2.92 型连接器

适用领域

  • 高速光纤通信
  • 雷达信息处理
  • 电子战
  • 高速信号测试与测量
  • 微波光子学


产品选型


典型值与绝对最大额定值

参数

符号

典型值

额定值

单位

储存温度范围

TSTG

-45 ～ +85

-55 ～ +85

℃

工作壳温范围

TC

25

-40 ～ +85

℃

偏置电压

VR

5

5 ～ 6

V

光输入功率

Pin

+3

+10

mW

烧毁光功率

PB


+15

mW

引线焊接温度

Tp

280（10s）

330（10s）

℃


光电器性能参数

参数

符号

最小值

典型值

最大值

单位

备注

响应光谱

λ

1000
1650

nm


小信号带宽（-3dB）

-3dB

35 40

GHz


最大光输入功率

Pm



13

mW

参考备注2,3

响应度

R 0.75 0.85

A/W

参考备注1

幅度平坦度

A

±2


dB


光电二极管偏置电压

Vpd


5 6

V

参考备注3

输出电压驻波比

VSWR


2.5 3



饱和射频输出功率

Pout


-10

dBm


暗电流

Id


1 40

nA


输出阻抗

RL


50

Ω


备注：

1. 测试条件为波长 λ=1310nm、1550nm；

2. 测试条件为温度 25°C、正常偏置；

3. 若器件工作参数超出绝对最大额定值，可能会影响器件可靠性，甚至导致永久性损坏。


典型响应曲线



图 1：40G 光电探测器频率响应曲线



尺寸与引脚（单位：mm）  



订货信息


产品型号

备注

HSPD4040

40GHz 光电探测器接收器，配备单模 FC/APC 光纤连接器



注意事项


为避免光纤损坏，光纤弯曲半径不得小于 20mm；

将光纤连接至光电路前，务必确保光纤耦合端面清洁；

器件在储存、运输及使用过程中，需采取适当的静电放电（ESD）防护措施。



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